800 nanômetros

Fabricação de dispositivos semicondutores

10 µm – 1971 6 µm - 1974 3 µm - 1977 1,5 µm - 1982 1 µm - 1985 800 nm - 1989 600 nm - 1994 350 nm - 1995 250 nm - 1997 180 nm - 1999 130 nm - 2001 90 nm - 2004 65 nm - 2006 45 nm - 2008 32 nm - 2010 22 nm - 2012 14 nm - 2014 10 nm - 2016 7 nm - 2018 5 nm - 2020

O processo de 800 nm refere-se ao nível de tecnologia do processo de fabricação de semicondutores MOSFET que foi alcançado por volta do período de 1987 a 1990, por empresas líderes de semicondutores como NTT, NEC, Toshiba, IBM, Hitachi, Matsushita, Mitsubishi Electric e Intel.

Referências

Precedido por: 1 µm

processos de fabricação CMOS

Sucedido por: 600 nm